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O: Oberflächenphysik

O 20: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (II)

O 20.2: Talk

Tuesday, March 24, 1998, 16:30–16:45, H37

Elektronische Struktur von Uraneinlagerungsverbindungen in Graphit — •Steffen Danzenbächer, Serguei Molodtsov, Jörn Boysen, Manuel Richter und Clemens Laubschat — TU Dresden, 01062 Dresden

Die relativ schwache chemische Bindung zwischen den einzelnen hexagonalen Ebenen im einkristallinen Graphit ermöglicht den Einbau von Fremdatomen zwischen einzelnen Graphitebenen. Die sich dabei bildenden Graphiteinlagerungsverbindungen (GIC’s = graphite intercalation compounds)zeigen aufgrund ihrer Schichtstruktur stark anisotrope elektrische und elektronische Eigenschaften, die sich näherungsweise in einem einfachen Ladungstransferbild beschreiben lassen. Eine Einlagerung von Uran in Graphit ist besonders interessant, da man aufgrund der großen interatomaren Uran-Uran Abstände in solchen Verbindungen mit einer Lokalisierung der im U-Metall noch bandartigen 5f-Zustände rechnen könnte. Durch Aufdampfen von Uran im UHV auf einkristalline Graphitsubstrate und anschließendes Tempern konnten solche einkristallinen Uran-GIC’s hergestellt und mittels LEED und winkelaufgelöster Photoemissionsmessungen charakterisiert werden. Durch einen anschließenden Vergleich der gemessenen Daten mit LCAO-Bandstrukturrechnungen sind genauere Aussagen über die Stapelfolge und die elektronische Struktur der gebildeten Interkalationsverbindung möglich.