Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 20: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (II)
O 20.5: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 17:15–17:30, H37
Temperaturabhängigkeit der Bandlücke von isolierendem VO2 — •M. Schramme1, O. Müller1, S. Grigoriev1, J.-P. Urbach1, A. Meiser1, M. Klemm1, J. Brügmann2 und S. Horn1 — 1Lehrstuhl für Experimentalphysik II, Universität Augsburg, Memminger Straße 6, D-86135 Augsburg — 2Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Kiel, Leibnizstraße 19, D-24118 Kiel
UPS-Messungen an Vanadiumoxiden, die einen mit einer Strukturänderung
verbundenen Metall-Isolatorübergang aufweisen, zeigen stark verbreiterte
Strukturen sowohl der O2p- als auch der V3d-Bänder[1]. Speziell im
Bereich der V3d-Bänder sind keine dispersionsbedingten Verschiebungen
von Strukturen zu beobachten. Als Ursache für die Breite und Form der
beobachteten Valenzbandstrukturen wird starke Elektron-Phonon-Kopplung
diskutiert. Wir präsentieren neue höchstauflösende Photoemissionsmessungen
an VO2 zwischen 25K und der Metall-Isolator-Übergangstemperatur.
Die Breite der Strukturen ist temperaturunabhängig und die Spektren
zeigen keine ausgeprägte Dispersion. Allerdings wird unterhalb der
MI-Übergangstemperatur des VO2 eine lineare Zunahme der Bandlücke
mit abnehmender Temperatur beobachtet, während oberhalb des
Phasenübergangs keine temperaturabhängige Verlagerung spektraler Dichte
in der Nähe der Fermikante auftritt. Speziell die lineare Abhängigkeit
der Bandlücke von der Temperatur ist als weiteres Indiz für die
Bedeutung der Elektron-Phonon-Kopplung zu werten.
[1]Physica B 230-232 (1997) 996-998