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O: Oberflächenphysik

O 20: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (II)

O 20.5: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 17:15–17:30, H37

Temperaturabhängigkeit der Bandlücke von isolierendem VO₂ — •M. Schramme¹, O. Müller¹, S. Grigoriev¹, J.-P. Urbach¹, A. Meiser¹, M. Klemm¹, J. Brügmann² und S. Horn¹ — ¹Lehrstuhl für Experimentalphysik II, Universität Augsburg, Memminger Straße 6, D-86135 Augsburg — ²Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Kiel, Leibnizstraße 19, D-24118 Kiel

UPS-Messungen an Vanadiumoxiden, die einen mit einer Strukturänderung verbundenen Metall-Isolatorübergang aufweisen, zeigen stark verbreiterte Strukturen sowohl der O2p- als auch der V3d-Bänder[1]. Speziell im Bereich der V3d-Bänder sind keine dispersionsbedingten Verschiebungen von Strukturen zu beobachten. Als Ursache für die Breite und Form der beobachteten Valenzbandstrukturen wird starke Elektron-Phonon-Kopplung diskutiert. Wir präsentieren neue höchstauflösende Photoemissionsmessungen an VO₂ zwischen 25K und der Metall-Isolator-Übergangstemperatur. Die Breite der Strukturen ist temperaturunabhängig und die Spektren zeigen keine ausgeprägte Dispersion. Allerdings wird unterhalb der MI-Übergangstemperatur des VO₂ eine lineare Zunahme der Bandlücke mit abnehmender Temperatur beobachtet, während oberhalb des Phasenübergangs keine temperaturabhängige Verlagerung spektraler Dichte in der Nähe der Fermikante auftritt. Speziell die lineare Abhängigkeit der Bandlücke von der Temperatur ist als weiteres Indiz für die Bedeutung der Elektron-Phonon-Kopplung zu werten.
[1]Physica B 230-232 (1997) 996-998