Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 20: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (II)

O 20.6: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 17:30–17:45, H37

Schichtdickenabhängige Valenzbandstruktur des Halbleiters
WS₂: Von der Monolage zum Volumeneinkristall — •A. Klein^1,2, S. Tiefenbacher¹, V. Eyert³, C. Pettenkofer¹ und W. Jaegermann² — ¹Hahn-Meitner-Institut, Abt. CG, Glienickerstr. 100, 14109 Berlin — ²Technische Universität Darmstadt, Fachgebiet Oberflächenforschung, Fachbereich Materialwissenschaften, Petersenstr. 23, 64287 Darmstadt — ³Hahn-Meitner-Institut, Abt. TF

Beim Wachstum auf den chemisch gesättigten hexagonalen Oberflächen von Materialien mit Schichtgitterstruktur (van der Waals-Epitaxie) können im allgemeinen epitaktische Schichten trotz hoher Gitterfehlanpassung präpariert werden. Die nahezu fehlenden Wechselwirkungen bedingen eine elektronische Entkopplung der Schicht vom Substrat. Es ist daher möglich die elektronische Bandstruktur von quasi-freistehenden Schichten experimentell zu bestimmen. Dies wird am Beispiel von halbleitenden WS₂ Schichten vorgestellt die auf einkristallinem Graphit durch metallorganische van der Waals-Epitaxie (MOvdWE) abgeschieden wurden. Die Valenzbandstruktur wurde vollständig bereits für Schichtdicken ab einer Monolage mit winkel- und energieabhängiger Photoelektronenspektroskopie bei BESSY bestimmt. Deren Entwicklung mit zunehmender Schichtdicke sowie der Vergleich mit Einkristalldaten und theoretischen Bandstrukturrechnungen erlaubt es auf eine einmalige Weise die Entstehung der elektronischen Bandstruktur von Festkörpern zu verfolgen.