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O: Oberflächenphysik
O 20: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (II)
O 20.8: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 18:00–18:15, H37
Röntgenemission an der Oberfläche von Lanthanidmetallen — •F. Hübinger1, A.S. Shulakov2, A.V. Fedorov1, K. Starke1 und G. Kaindl1 — 1Institut für Experimentalphysik, Freie Universität Berlin, Arnimallee 14, 14195 Berlin, Germany — 2Institute of Physics, St. Petersburg State University, St. Petersburg, 198904, Russia
Durch Variation der Oberflächenempfindlichkeit von OIII - Röntgen-emissionsspektren (XES) von einkristallinen La- und Sm-Filmen auf
W(110) kann die Emission der obersten Atomlage von der Volumen-emission
separiert werden. Die Oberflächenemissionen aus La (Sm) erreichen bis zu
60 %, sind viel schmaler und um +0.35 eV (−1.4 eV) gegenüber dem
Volumenbeitrag verschoben. Die große Verschiebung der
Sm-Oberflächenemission ist eine Folge des bekannten Valenzübergangs
an der Sm-Oberfläche. Eine atomare Multiplettrechnung der Linienstär-ken
zeigt, daß bei OIII-XES aus Seltenerdmetallen die Emission aus
s-artigen Zuständen bei weitem überwiegt. - Anwendungen zum Studium der
besetzten Valenzbänder (magnetischer) Seltenerdmetalle werden diskutiert.