Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 23: Rastersondentechniken

O 23.5: Vortrag

Mittwoch, 25. März 1998, 15:30–15:45, H37

STM/STS und photonenunterstützte STS auf Halbleitern mit geringer Oberflächenzustandsdichte — •Th. W. Matthes¹, Ch. Sommerhalter¹, M. Ch. Lux-Steiner¹, A. Rettenberger², J. Boneberg² und P. Leiderer² — ¹Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin — ²Fakultät für Physik, Universität Konstanz, Universitätsstr. 10, 78434 Konstanz

Die (0001)-Oberfläche von WS₂ ist frei von Oberflächenzuständen. Sie stellt ein ideales Modellsystem dar, an dem grundlegende Fragen bzgl. der Rastertunnelspektroskopie (STS) an Halbleiteroberflächen mit geringer Oberflächenzustandsdichte geklärt werden können. Im Gegensatz zu Oberflächen mit gepinntem Ferminiveau, kann die Interpretation von dlnI/dlnU als Maß der energetischen Zustandsdichteverteilung hier nicht aufrechterhalten werden. Modellrechnungen zeigen, daß die experimentellen STS-Ergebnisse mit und ohne Beleuchtung, im wesentlichen über die spannungsabhängige Bandverbiegung unter der Tunnelspitze zu erklären sind, und Nichtgleichgewichtseffekte durch den endlichen Tunnelstrom mit einbezogen werden müssen [1]. Ausgehend von diesem grundlegenden Verständnis werden experimentelle Resultate bezüglich der Topographie, der stromabbildenden Spektroskopie (CITS), des photoinduzierten Tunnelstroms und der lokalen Oberflächenphotospannung am Beispiel von Akzeptoren und lokalisierten Defektzuständen an Stufen diskutiert.

[1] Ch. Sommerhalter et al., J. Vac. Sci. Technol. B Nov/Dez 97.