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Regensburg 1998 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 24: Epitaxie und Wachstum (III)

O 24.18: Talk

Wednesday, March 25, 1998, 18:45–19:00, H44

Wachstum von C59N auf Schichtgittermaterialien — •Ch. Sommerhalter1, B. Pietzak1, K. Diesner1, B. Nuber2, U. Reuther2 und A. Hirsch21Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin — 2Institut für Organische Chemie, Henkestraße 42, D-91054 Erlangen

Das Wachstum des Heterofullerens C59N auf den Schichtgittermaterialien HOPG, WSe2 und Glimmer bei 25C, 100C und 200C wurde mittels UHV-AFM untersucht. Im Falle von HOPG und WSe2 ist auf ausgedehnten Terassenflächen eine große Diffusionslänge zu beobachten, wobei sich dendritische Inseln bilden, was auf eine reduzierte Beweglichkeit am Rande der Inseln schließen läßt. In Bereichen mit hoher Stufendichte findet die Nukleation bevorzugt an den Stufen statt, wobei diese nicht dekoriert werden. Bei Substrattemperaturen von 100C lassen sich ausgeprägte fraktale Strukturen beobachten. Beim Wachstum der zweiten Monolage ist die Beweglichkeit erheblich reduziert, so daß sich nahezu unabhängig von der Substrattemperatur auf den 1-3µ m großen Inseln sehr viel kleine Keime mit einem Abstand von nur 50 nm bilden. Im Gegensatz zu C60 liegt also kein Flächenwachstum vor und die Inseln weisen keine Facettierung auf. Auf Glimmer bilden sich auch bei 200C viele Inseln in einem Abstand von 50-100 nm, was darauf hinweist, daß hier die Substratwechselwirkung stark erhöht ist. Röntgendiffraktion an 300 nm dicken Filmen auf Glimmer ergaben eine ausgeprägte Texturierung mit einem Wachstum in (002) Richtung des hexagonalen Gitters.

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