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O: Oberflächenphysik

O 24: Epitaxie und Wachstum (III)

O 24.3: Vortrag

Mittwoch, 25. März 1998, 15:00–15:15, H44

Der Einfluß der Oberflächenelektronenstruktur auf die Heteroepitaxie — •H. Wormeester¹, E. Hüger², and E. Bauer³ — ¹Universiteit Twente, Postfach 217, 7500 AE Enschede, Die Niederlande — ²Physikalisches Institut, TU Clausthal, Leibnizstraße 4, D-38678 Clausthal-Zellerfeld — ³Department of Physics and Astronomy, Arizona State University, Tempe AZ-85287, USA

Dünne Au, Cu und Pd Schichten wurden gewachsen auf einer Nb(001)-Oberfläche auf der vorher eine Monolage (ML) des gleichen Materials aufgebracht wurde sowie auf eine mit S bedeckte Nb(001)-Oberfläche. Obwohl diese präparierten Oberflächen die gleiche laterale Periodizität haben wie die reine Nb(001) Oberfläche, ist das Wachstum sehr unterschiedlich. Schichten, die auf den zuerst mit Metall bedampften Oberflächen erzeugt wurden, haben eine Struktur, die bestimmt wird durch die geometrische Fehlanpassung zwischen Substrat und Schicht (i.e. Au bcc, Pd und Cu hcp) [1]. Im Gegensatz dazu, wachsen die Metallschichten auf der mit S bedeckte Nb(001)-Oberfläche gemäß einer fcc(111) Orientierung. Photo-elektronenspektroskopie zeigt, daß S die elektronische Struktur der Oberfläche soweit ändert, daß die Bindung zwischen deponiertem Metall und Substrat stark geschwächt wird. Dies führt zu nicht benetzendem Wachstum.

[1] H. Wormeester, E. Hüger, E. Bauer, Phys. Rev. Lett. 77, 1540 (1996)