Regensburg 1998 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 24: Epitaxie und Wachstum (III)

O 24.5: Talk

Wednesday, March 25, 1998, 15:30–15:45, H44

Wachstum von Co-Fe Schicht- und Legierungsfilmen auf Cu(100) — •U. Thomann, Ch. Reuß, M. Wiets, M. Weinelt und Th. Fauster — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7, 91058 Erlangen

Wir haben die geometrische und elektronische Struktur von Co- und Fe- Schicht- und Legierungsfilmen auf Cu(100) im Bereich bis zu 8 Monolagen (ML) untersucht. Mit Hilfe der Vorwärtsstreuung von Fe und Co LVV Augerelektronen konnten die Wachstumsmoden bei Raumtemperatur bestimmt werden: Gemeinsam ist allen Systemen epitaktisches Wachstum. Sowohl Fe als auch Co bilden bereits im Anfangsstadium Inseln mit einer Höhe von bis zu 3 ML. Auch Co auf Fe/Cu(100) neigt zur Inselbildung. Andererseits wurde lagenweises Wachstum von Fe auf mindestens 2 ML dicken Co-Filmen auf Cu(100) erreicht.
Das Verhalten bei Mischsystemen ist konzentrations- und dickenabhängig: Bei Co-reichen Schichten bis 2 ML finden wir eine Entmischung, bei der Fe nur in der obersten Lage vorkommt. Entsprechende Fe-reiche Schichten sowie dickere Legierungsfilme zeigen dagegen keine Entmischung.
Die elektronischen Eigenschaften wurden mit winkelaufgelöster Photoemission untersucht. Dabei konnte mit zunehmender Schichtdicke der Übergang von zwei- zu dreidimensionaler Bandstruktur beobachtet werden. Die Unterschiede in der Bandstruktur von reinen Fe-, Co- und Mischschichten werden diskutiert.
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