Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 24: Epitaxie und Wachstum (III)

O 24.6: Vortrag

Mittwoch, 25. März 1998, 15:45–16:00, H44

Einfluß von Interdiffusion auf das Wachstum von Co/Cu(100) — •U. May, F. Nouvertné, M. Gruyters, R. Berndt, and G. Güntherodt — II. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, D-52056 Aachen

Bei der Deposition der ersten Co-Monolagen auf Cu(100)-Einkristallsubstraten bei Zimmertemperatur wurden sowohl eine Wachstumsanomalie (Abweichung vom Lagenwachstum) als auch Interdiffusion beobachtet. Zur Klärung, ob Interdiffusion das Wachstum in diesem Schichtdickenbereich wesentlich beeinflußt, wurde das Wachstum mittels RHEED und STM untersucht.
Aus der Temperaturabhängigkeit von Inselgrößenverteilungen sowie Vergleichen zwischen dem Nukleationsverhalten von Co auf Cu(100) und Co(100) läßt sich ein durch Interdiffusion bestimmter Wachstumsmodus ableiten: Durch Austauschprozesse entstehen zusätzliche Nukleationszentren, was zu einer größeren und stark temperaturabhängigen Keimdichte führt. Das experimentell beobachtete Verhalten wird mit Ergebnissen einer Monte-Carlo-Simulation verglichen. Für Substrattemperaturen von 100^∘C oder beim Tempern von Co-Monolagen bei 180^∘C treten Bereiche einer geordneten c(2x2)-Oberflächenlegierung von Co und Cu auf, die mittels atomar aufgelöster STM-Bilder identifiziert wurde. Zusätzlich wurden Co/Cu c(2x2)-Überstrukturreflexe mit RHEED beobachtet.
Unterstützt durch DFG/SFB 341.