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O: Oberflächenphysik

O 24: Epitaxie und Wachstum (III)

O 24.7: Vortrag

Mittwoch, 25. März 1998, 16:00–16:15, H44

Bedampfungstemperatur und Oberflächen-Ätzen beim System Co/Cu(111) — •S. Speller¹, S. Degroote¹, J. Dekoster¹, G. Langouche¹, J.E. Ortega² und A. Närmann² — ¹Instituut voor Kern- en Stralingfysika, Katholieke Universiteit Leuven, Celestijnenlaan 200D, B-3001 Leuven, Belgium — ²Universidad del País Vasco, Facultad de Química, Apdo.1072, E-20080 San Sebastián, Spain

Infolge des Wachstums von Submonolagen-Filmen aus Co auf Cu(111) entstehen Ätz-Schäden im Substrat, die zu einer Erhöhung der Vermischung und Rauhigkeit an der Grenzschicht zwischen Substrat und Film führen. Mit einer quantitativen STM-Untersuchung analysieren wir den Einfluß der Temperatur des Substrates auf das Ätzen des Substrates. Unsere Ergebnisse für 1/8Monolage Co zeigen, daß die Ätzrate deutlich zurückgeht, wenn die Substrat-Temperatur während des Bedampfens auf 140K verringert wird. Die gesamte, weggeätzte Fläche, die nach Aufheizen auf 300K beobachtet wird, konnte um einen Faktor fünf reduziert werden, obwohl das Ätzen mit einer wesentlich geringeren Rate weitergeht. Die Betrachtung der weggeätzten Fläche und des Cu-Gehalts innerhalb der Co-Inseln, führt darauf, daß das Ätzen von der Diffusion von Cu-Atomen von den Stufen-Kanten herrührt. Die betreffende Diffusion findet in einem sehr frühen Stadium des Wachstums -schon während der Aggregation und Inselbildung- statt.