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O: Oberflächenphysik
O 27: Adsorption an Oberfl
ächen (V)
O 27.3: Talk
Thursday, March 26, 1998, 11:45–12:00, H36
Die Adsorptionsgeometrie von C auf Ni{100} bei niedriger Bedeckung — •R. Terborg1, O. Schaff1, R. Lindsay1, R. Toomes2, N. Booth2, E. Rotenberg3, A. M. Bradshaw1 und D. P. Woodruff2 — 1Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, 14195 Berlin-Dahlem — 2Department of Physics, University of Warwick, Coventry CV4 7AL, England — 3Lawrence Berkeley National Lab, ALS, Berkeley CA 94720, USA
Bei der Adsorption von C auf Ni{100} bei Sättigungsbedeckung (Θ=0,5) kommt es zu einer p4g-Rekonstruktion der Oberfläche, wobei das Adsorbat eine c(2 × 2)-Struktur in den vierfachen Lochplätzen einnimmt [1]. Als Ursache für die Rekonstruktion wird eine Verschiebung der vier nächsten Ni-Atome angenommen, durch die die vierfachen Lochplätze größer werden und das C-Atom eine zusätzliche Bindung zum nächsten Ni-Atom in der zweiten Lage eingeht.
Um dies zu verifizieren, wurde die Adsorptionsgeometrie des Systems bei einer Bedeckung von Θ<0,2 mit Hilfe von Photoelektronenbeugung im scanned energy mode untersucht. Durch den Vergleich von experimentellen Daten mit Simulationsrechnungen kann die lokale Adsorptionsgeometrie sehr genau bestimmt werden.
[1] Y. Gauthier, R. Baudoing-Savois, K. Heinz, H. Landskron, Surf. Sci. 251/252, 493, (1991)