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O: Oberflächenphysik

O 28: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (III)

O 28.1: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 11:15–11:30, H37

Interpretation spitzeninduzierter Zustände in der Rastertunnelspektroskopie von InAs(110) — •M. Morgenstern, R. Dombrowski, Chr. Wittneven und R. Wiesendanger — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, D-20355 Hamburg

Eines der Hauptprobleme bei der Interpretation der mit Spektroskopiemoden aufgenommenen Rastertunnelmikroskopiedaten auf Halbleiteroberflächen ist die spitzeninduzierte Bandverbiegung. Es wird gezeigt, wie mit Hilfe der in der Bandlücke auftretenden Peaks in dI/dV-Kurven (spitzeninduzierte Zustände) sowohl der Betrag als auch die räumliche Ausdehnung der Bandverbiegung abgeschätzt werden kann. Mit Hilfe dieser Daten werden Korrugationen in dI/dV-Bildern, die durch Streuung von Elektronenwellen an Dotieratomen hervorgerufen werden, in guter Übereinstimmung mit dem Experiment simuliert.