Regensburg 1998 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 28: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (III)

O 28.5: Talk

Thursday, March 26, 1998, 12:15–12:30, H37

HREELS-Untersuchungen an 3C-SiC(100)-Oberflächen — •T. Balster¹, V. Polyakov¹, H. Ibach² und J.A. Schaefer¹ — ¹TU Ilmenau, Institut für Physik, PF 100565, D-98684 Ilmenau — ²Forschungszentrum Jülich, IGV, D-52425 Jülich

Wir haben mittels hochauflösender Elektronenenergieverlustspektroskopie (HREELS) die Si-terminierte (2×1)- und die C-terminierte c(2x2)- Rekonstruktion der 3C-SiC(100)-Oberfläche von n-dotierten Proben
(n=4.8×10¹⁶cm⁻³ und n=2.5×10¹⁸cm⁻³) untersucht. Mit Beugung langsamer Elektronen (LEED) und Augerelektronenspektroskopie (AES) wurde die Rekonstruktion und die Stöchiometrie an der Oberfläche kontrolliert.
Das optische Oberflächenphonon (Fuchs-Kliewer-Phononen) wurde bei 117.5 meV (940 cm⁻¹) und das Oberflächenplasmon der Leitungsbandelektronen bei Verlustenergien kleiner 12.5 meV (100 cm⁻¹) beobachtet, welches aufgrund sehr hoher Plasmonendämpfung nur als Schulter im Peak der elastisch reflektierten Elektronen erkennbar ist. Bei beiden Dotierungen beträgt die Aufwärtsbandverbiegung der Si-terminierten (2×1)- 700 meV und der c(2×2)-Rekonstruktion 200 meV.
Die Terminierung der Oberfläche konnte durch Adsorption von Wasserstoff mittels der SiH₂- bei 267,5 meV (2140 cm⁻¹) bzw. der CH₂-Streckschwingungen bei 367,5 meV (2940 cm⁻¹) nachgewiesen werden.