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O: Oberflächenphysik
O 31: Nanostrukturen
O 31.4: Talk
Thursday, March 26, 1998, 17:00–17:15, H36
Erzeugung von Ge-Nanostrukturen auf Si-Oberflächen mit dem Tunnelmikroskop — •Ulrich Schöffel, Hubert Rauscher und Rolf Jürgen Behm — Universität Ulm, Oberflächenchemie und Katalyse, 89069 Ulm
Germanium-Nanostrukturen mit lateralen Abmessungen von wenigen Nanometern wurden auf Silicium-Oberflächen durch tunnelmikroskop-induzierte Zersetzung (STM-CVD) des Moleküls GeH4 hergestellt. Die GeH4-Moleküle werden dabei in der Tunnellücke zwischen der Spitze und der Oberfläche durch Wechselwirkung mit dem elektrischen Feld und/oder mit freien Elektronen, die aus der Spitze emittiert werden, aktiviert. Diese im Vergleich zum GeH4-Molekül hochreaktiven Spezies akkumulieren sich direkt unterhalb der Tunnelspitze und bauen die Nanostruktur auf. Kontinuierliche Nanostrukturen können durch Bewegen der Spitze während der Abscheidung erzeugt werden. Der Abscheidemechanismus bei der GeH4-STM-CVD wird auf der Grundlage der Abhängigkeit der Depositionsmenge von den Tunnelparametern diskutiert und mit früheren Ergebnissen zur STM-CVD, die unter Verwendung des Precursor-Moleküls SiH4 erzielt wurden, verglichen.