Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 33: Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen (II)

O 33.2: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 16:30–16:45, H44

Adatomdynamik auf 3C-SiC(111)-Oberflächen — •D. Stock — Institut für Festkörperphysik, Universität Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena

Siliziumkarbid gilt wegen seiner ausgezeichneten physikalischen Eigenschaften als Material der Wahl für die Realisierung von elektronischen Bauelementen, die für den Einsatz unter extremen Bedingungen wie beispielsweise hohe Temperaturen geeignet sind. Für derartige Anwendungen ist das kontrollierte Wachstum von speziellen SiC-Polytypen von großsem Interesse. Damit verbunden ist die Notwendigkeit eines atomistischen Verständnisses der technologisch wichtigen Wachstumsprozesse, die hauptsächlich auf den hexagonalen Si-C Doppellagen ablaufen. Mit Hilfe von umfangreichen Molekulardynamik-Simulationen auf der Grundlage eines klassischen bond-order Potentials wird die Dynamik von Adatomen auf Si-terminierten 3C-SiC(111)-Oberflächen untersucht. Zunächst werden verschiedene Oberflächenrekonstruktionen betrachtet und ihre atomare Struktur und Energetik mit Ergebnissen von ab initio Rechnungen verglichen. Anschließsend werden die atomaren Details der Bewegung von Si- und C-Adatomen studiert. Die Simulationen liefern Aussagen über Adsorptionsplätze und Migrationspfade. Die berechneten Diffusionskoeffizienten in Abhängigkeit von der Temperatur zeigen, daßs Si im Vergleich zu C die mobilere Species ist. Die erhaltenen Resultate zur Adatomdynamik erlauben Schlußsfolgerungen hinsichtlich der Anfangstadien des Schichtbildungsprozesses bei der SiC-Molekularstrahlepitaxie.