Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 33: Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen (II)

O 33.5: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 17:15–17:30, H44

3C-SiC(111)-3×3: ein neuartiger Rekonstruktionsmechanismus auf hexagonalen Oberflächen — •J. Bernhardt¹, J. Schardt¹, M. Franke¹, K. Reuter¹, H. Wedler¹, U. Starke¹, K. Heinz¹, J. Furthmüller², P. Käckell² und F. Bechstedt² — ¹Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr. 7, D-91058 Erlangen — ²Institut für Festkörpertheorie und Theoretische Optik, Universität Jena, Max-Wien-Platz 1, D-07743 Jena

Auf hexagonalen SiC-Oberflächen, wie z.B. 3C-SiC(111), existieren drei stabile Rekonstruktionsphasen, von denen die (3×3)-Phase eine wichtige Rolle beim SiC-Wachstum spielt. Ihre große Einheitszelle erfordert für eine Strukturanalyse das Wechselspiel mehrerer oberflächensensitiver Methoden. STM und LEED-Holografie liefern Vorinformationen über Teile der Struktur, so daß sich die quantitativen Verfahren volldynamisches LEED und DFT auf eine beherrschbare Anzahl noch verbleibender Modelle beschränken können. Die resultierende Struktur besteht aus einer in sich verdrehten, geschlossenen Si-Adlage, die pro Einheitszelle einen Si-Adcluster mit T4-Geometrie enthält. Innerhalb der Adlage entstehen Si-untypische, planare Bindungen. Durch die Deformation erreicht das System eine perfekte, vierfache Koordination aller Substrat-, sowie 12 der 13 Adlagenatome; lediglich das Adatom trägt ein ungepaartes Elektron im s-Orbital. Die gefundene Geometrie repräsentiert einen neuen, eigenständigen Rekonstruktionsmechanismus, der sich vom bekannten DAS-Modell deutlich unterscheidet. (gefördert durch DFG / SFB 292)