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O: Oberflächenphysik

O 34: Poster (II)

O 34.11: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

Detailanalyse von Photoemissionsspektren der GaN(001)- und der GaAs:GaN Oberfläche — •T. Strasser, E. Rodriguez, F. Starrost, C. Solterbeck und W. Schattke — Institut für Theoretische Physik und Astrophysik, Universität Kiel, Leibnizstr. 15, 24098 Kiel

Rechnungen im Einstufenmodell sind die Voraussetzung für eine detaillierte Anlayse der Spektren der energie- und winkelaufgelösten Photoemissionsspektroskopie. Am Beispiel einer experimentellen Spektrenserie in normaler Emission für die GaN(001) Oberfläche zeigen wir, daß die Theorie nicht nur in der Lage ist, die Strukturen in den Spektren zu reproduzieren. Komplexe Bandstruktur, Matrixelemente und orbital- und lagenaufgelöste Zustandsdichten erlauben uns vielmehr, Strukturen in den Spektren zu identifizieren. Zum Beispiel konnnten wir die in der experimentellen Analyse an der Bandkante erscheinenden Emissionen eindeutig einem Oberflächenzustand zuordnen. Darüber hinaus zeigt sich, daß die experimentellen Spektren weit besser mit den Ergebnissen von Bandstrukturrechnungen übereinstimmen, als nach der experimentellen Analyse zu erwarten ist. Rechnungen für reine und mit ein bis drei Lagen GaN bedeckte GaAs(001) Oberflächen zeigen zudem, wie die Details an der Oberfläche die Spektren beeinflussen, und wie sich Bindungen im Photostrom indentifizieren lassen.