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O: Oberflächenphysik

O 34: Poster (II)

O 34.12: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

Strukturelle und elektronische Eigenschaften von Gruppe-III Nitriden und ihren kubischen (110)-Oberflächen — •G. Hirsch, D. Vogel, P. Krüger und J. Pollmann — Institut für Theoretische Physik II - Festkörperphysik, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Str. 10, D-48149 Münster

Gruppe-III Nitride weisen ein großes technologisches Potential für Anwendungen in der Mikro- und Optoelektronik auf. Wir haben im Rahmen der lokalen Dichteapproximation der Dichtefunktionaltheorie die strukturellen und elektronischen Eigenschaften dieser Systeme untersucht. Der Einfluß von Selbstwechselwirkungs- und Relaxationskorrekturen wird innerhalb von nichtlokalen separablen Pseudopotentialen berücksichtigt.

Die Anwendung unseres Zugangs auf Volumenkristalle von BN, AlN, GaN und InN liefert Gitterkonstanten und elektronische Bandstrukturen in guter Übereinstimmung mit experimentellen Daten. Weiterhin haben wir die Relaxation und die elektronische Struktur der nichtpolaren (110)-Oberflächen einiger Gruppe-III Nitride studiert. Unsere Ergebnisse werden mit entsprechenden Resultaten von Hartree-Fock-Rechnungen verglichen und den von uns bereits früher gewonnenen Ergebnissen für GaAs(110) und SiC(110) bezüglich Relaxation und elektronischer Struktur gegenübergestellt. Dabei werden charakteristische Ähnlichkeiten und Unterschiede aufgrund der ausgeprägteren Ionizität der Nitride deutlich.