Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 34: Poster (II)

O 34.17: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

Oberflächenphotospannung an rekonstruierten 6H-SiC(0001)-Oberflächen — •R. Meyer und H. Merz — Universität Münster

Verschiedene Rekonstruktionen der 6H-SiC(0001)-Oberfläche werden durch Heizen und kontrolliertes Aufdampfen von Silizium präpariert.
UP-Photoemissionsspektren (NeI) werden mit und ohne Zusatzlicht
(hν=1.4⋯ 6.6eV) beobachtet.
Die Energieverschiebung der Spektren kann als Oberflächenphotospannung interpretiert werden. Sie wird systematisch untersucht für unterschiedliche Rekonstruktionen, Intensitäten des eingestrahlten Lichts,
Photonenenergien und Temperaturen.
Die Unterschiede zwischen 6H-SiC(0001) und Si(100) werden diskutiert.