Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 34: Poster (II)

O 34.20: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

In situ Bestimmung der elektronischen Struktur von epitaktischen C₆₀-Filmen mittels kombinierter Photoemission, inverser Photoemission und R=94ntgenabsorptionsspektroskopie — •S. Woedtke, R. Schwedhelm, A. Dallmeyer, L. Kipp, and M. Skibowski — Institut f=81r Experimentelle und Angewandte Physik, Leibnizstra=E1e 19, 24118 Kiel

Die elektronische Struktur von ultrad=81nnen, epitaktisch gewachsenen= C₆₀ -Filmen auf VSe₂-Schichtkristallen wurde mit kombinierter winkelaufgel=94ster Photoemissions- und inverser Photoemissionsspektroskopie untersucht, um den energetischen Abstand zwischen dem h=94chsten besetzten (HOMO) und dem niedrigsten unbesetzten Molek=81lorbital (LUMO) sowie die= Gr=94=E1e der Bandl=81cke zu bestimmen. Die Ergebnisse wurden mit fr=81heren Quasiteilchen-Rechnungen verglichen. Die aus inversen Photoemissionsmesungen gewonnene Leitungsbandstruktur wurde durch Benutzung einer gemeinsamen Energieachse mit einem C1s-R=94ntgenabsorptionsspektrum (XANES) verglichen. Das XANES-Spektrum wird dabei offensichtlich von exzitonischen Effekten dominiert und kann daher nicht benutzt werden, um direkte Informationen =81b= er die Leitungsbandstruktur zu erhalten.