Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
O: Oberflächenphysik
O 34: Poster (II)
O 34.28: Poster
Thursday, March 26, 1998, 20:00–22:30, Bereich C
SHG von idealen und rekonstruierten Siliziumoberflächen — •R. Ernstorfer und F. Rebentrost — Max-Planck-Institut für Quantenoptik, D-85748 Garching bei München
Bei inversionssymmetrischen Medien wie Silizium ist die nichtlineare Suszeptibilität zweiter Ordnung in der Dipolnäherung eine oberflächenspezifische Größe mit hoher Sensitivität bezüglich der Oberflächenstruktur. Zur Berechnung des Second-Harmonic-Spektrums an Silizium wurden als Oberflächenmodelle Si-Scheiben verschiedener Dicke gewählt und ihre elektronische Struktur mittels einer semi-empirischen Tight-Binding-Methode mit sp3s∗-Basis bestimmt. Neben den idealen Oberflächen wurden dabei für Si(111) eine 2×2-Rekonstruktion mit Adatom, die einen Ausschnitt der 7×7-Rekonstruktion des DAS-Modells darstellt, sowie für Si(001) eine 2×1-Rekonstruktion betrachtet. Ein Vergleich der Spektren von un- und wasserstoffbedeckten Oberflächen zeigt in Übereinstimmung mit experimentellen Ergebnissen, daß vorwiegend die ungesättigten Valenzorbitale zum nichtlinearen Response der Oberfläche beitragen.