Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 34: Poster (II)

O 34.3: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

Atomare und elektronische Struktur von II-VI Halbleiteroberflächen — •D. Vogel, M. Wilpert, P. Krüger und J. Pollmann — Institut für Theoretische Physik II, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, D-48149 Münster

Wir berichten über ab-initio Berechnungen von strukturellen und elektronischen Eigenschaften der (110) Oberflächen von kubischem ZnS, ZnSe, ZnTe und CdTe sowie der (1010) Oberflächen von hexagonalem ZnO, CdS und CdSe. Alle Rechnungen wurden selbskonsistent im Rahmen der lokalen Dichteapproximation mit Hilfe einer Superzellengeometrie durchgeführt. Wir verwenden Gauß-Orbital Basen und nichtlokale, separable, normerhaltende Pseudopotentiale. Die Zn und Cd semicore d-Zustände werden explizit als Valenzelektronen behandelt. Unsere berechneten Oberflächengeometrien sind in guter Übereinstimmung mit experimentellen LEED-Daten.

Die Berechnung der elektronischen Struktur erfolgt unter Berücksichtigung der Spin-Bahn Kopplung und von Selbstwechselwirkungs- und Relaxationskorrekturen. Die berechneten Oberflächenzustände der (110) und (1010) Oberflächen zeigen eine sehr gute Übereinstimmung mit Photoemissionsdaten. Im Falle der (1010) Oberflächen finden wir keine unbesetzten Oberflächenzustände, aber besetzte dangling bond Zustände innerhalb des projezierten Gaps. Die meisten dieser stark an der Oberfläche lokalisierten dangling bond Zustände wurden bereits in Photoemissionexperimenten beobachtet.