Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 34: Poster (II)

O 34.44: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

Chemische Abbildung mittels AFM — •U. Neuwald, M. Winkelmann, A. Marti, G. Hähner, M. Textor und N.D. Spencer — Professur für Oberflächentechnik, Eidgenössische Technische Hochschule Zürich, CH-8092 Zürich

Es wird eine Methode vorgestellt, die es ermöglicht, die Oberfläche von Oxiden chemisch abzubilden [1,2]. Ein im lateralen Modus betriebenes AFM wird benutzt, um die lateralen Kräfte auf einer Oberfläche im Elektrolyten zu detektieren. Diese sind auf Änderungen der chemischen Zusammensetzung der Oberfläche empfindlich [3]. Zudem sind sie stark abhängig vom pH-Wert des Elektrolyten. Gelingt es, die isoelektrischen Punkte (IEP) der Oberflächenspezies zu ermitteln, kann man durch die simultane Erfassung von Reibung und IEPs Aussagen über die lokale Verteilung der Oberflächenspezies treffen. Erste Ergebnisse von Untersuchungen an vorstrukturierten Modelloberflächen (Al₂O₃ auf SiO₂), die die Leistungsfähigkeit und Einsatzmöglichkeit dieser neuen Methode demonstrieren, werden vorgestellt.

[1] G. Hähner, A. Marti, N.D. Spencer, Tribology Letters 3 ,359 (1997)

[2] A. Marti, G. Hähner, N.D. Spencer, Langmuir 11, 4632 (1995)

[3] R.M. Overney, E. Meyer, J. Frommer, D. Brodbeck, R. Luthi, L. Howald, H.-J. Guntherodt, M. Fujihira, H. Takono, Y. Gotoh, Nature 359, 133 (1992)