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O: Oberflächenphysik

O 34: Poster (II)

O 34.4: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

Relativistische Full-Potential Photoemission am Beispiel von GaAs — •M. Fluchtmann, S. Bei der Kellen, J. Braun und G. Borstel — Fachbereich Physik, Universität Osnabrück, D-49069 Osnabrück

Die Full-Potential Theorie der Photoemission [1] gestattet es bei der Berechnung von Photoelektronenspektren das gesamte raumfüllende Kristallpotential zu berücksichtigen. Full-Potential Photoemissionsrechnungen an verschiedenen Systemen haben dann auch eindeutig gezeigt, daß die Beschränkung auf sphärisch symmetrische Potentiale häufig zu signifikanten Abweichungen zwischen Theorie und Experiment führt [2,3]. In diesem Beitrag werden erstmalig voll relativistische Full-Potential Photoemissionsrechnungen an GaAs vorgestellt und mit experimentellen Ergebnissen verglichen.

[1] M. Fluchtmann, M. Grass, J. Braun und G. Borstel, Phys. Rev. B 52, 9564 (1995)

[2] J. Braun, Rep. Prog. Phys. 59, 1267 (1996)

[3] M. Fluchtmann, S. Bei der Kellen, J. Braun und G. Borstel, Surf. Sci., im Druck