Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 34: Poster (II)

O 34.59: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

Analyse des Abbildungsprozesses in der Kontaktkraftmikroskopie auf atomarer Skala — •U. D. Schwarz¹, H. Hölscher¹, W. Raberg², A. Hasbach², R. Wiesendanger¹, and K. Wandelt² — ¹Institut f"ur Angewandte Physik, Universit"at Hamburg, Jungiusstr. 11, D-20355 Hamburg — ²Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Universität Bonn, Wegelerstr. 12, D-53115 Bonn

Mit einem im sogenannten Kontaktmodus betriebenen Rasterkraftmikroskop (scanning force microscope, SFM) können Oberflächenstrukturen auf atomarer Skala abgebildet werden. Allerdings sind die Abbildungseigenschaften eines SFM auf dieser Skala oft durch die “Stick-Slip”-Bewegung der Spitze stark eingeschränkt. Ein typisches Phänomen ist etwa, dass bei Kristallen mit nicht-trivialer Einheitszelle nicht immer eine “Sub-Einheitszellen-Auflösung” erzielt werden kann, also nur die Periodizität der Einheitszelle abgebildet wird

In diesem Beitrag soll der Abbilungsprozess atomarer Strukturen anhand eines Modells, das auf der Lösung vereinfachter Bewegungsgleichungen eines SFM beruht, analysiert werden. Durch den Vergleich experimenteller und simulierter Daten verschiedener Materialien wird diskutiert, was während des Abtastprozesses auf atomarer Skala für Prozesse ablaufen, wie sich die Spitze über die Oberfläche bewegt und wann eine Sub-Einheitszellen-Auflösung im Kontaktmodus möglich oder auch nicht möglich ist.