Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
O: Oberflächenphysik
O 34: Poster (II)
O 34.85: Poster
Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C
Raster –Sonden– Mikroskopie zur quantitativen Analyse elektronischer Eigenschaften — •J. Zimmermann, M. Böhmisch, P. Bruker, A. Rettenberger, J. Boneberg und P. Leiderer — Universität Konstanz, Fakultät für Physik, D-78434 Konstanz
Wir stellen ein AFM vor, das im Kelvin-Modus zur quantitativen Analyse von Austrittsarbeiten, Kapazitäten und Oberflächenphotospannungen eingesetzt werden kann. Die Detektion der Cantileverauslenkung erfolgt interferometrisch, um die intrinsische Beleuchtung der Probe zu minimieren. Die gemessenen Austrittsarbeiten verschiedener Proben wie z.B. Au, HOPG, Si und Übergangsmetalldichalkogenide (WS2, WSe2) stimmen gut mit Literaturwerten überein.Weiterhin wird gezeigt, daß elektronische Strukturen mit einer lateralen Auflösung besser als 20nm quantitativ charakterisiert werden können. Dabei beträgt die Energieauflösung 5meV. Damit wurde es möglich, elektronische Eigenschaften von „Nano–Schottky–Kontakten “(Au und In auf WS2, WSe2) zu bestimmen. Diese werden auch mit UHV–Rastertunnelspektroskopie– Messungen verglichen.
Diese Arbeit wird von der Deutschen Forschungsgemeinschaft gefördert (SFB
513 / TP A2)