Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 34: Poster (II)

O 34.8: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

Ab-initio Berechnung elektronischer und struktureller Eigenschaften von WSe₂: Volumenkristall und (0001)-Oberfläche. — •D. Voß, P. Krüger, A. Mazur und J. Pollmann — Institut für Theoretische Physik II - Festkörperphysik, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Str. 10, D-48149 Münster

Im Rahmen der lokalen Dichteapproximation der Dichtefunktionaltheorie haben wir strukturelle und elektronische Eigenschaften von WSe₂ berechnet. Das Material besteht aus schwach miteinander gekoppelten Schichtstapeln. Bei den Berechnungen verwenden wir normerhaltende Pseudopotentiale. Insbesondere haben wir den Einfluß der Pseudopotentiale sowie der Spin-Bahn-Wechselwirkung und der Größe der Gitterparameter auf die Lage des Valenzbandmaximums analysiert, welche in jüngster Zeit sehr kontrovers diskutiert worden ist [1,2]. Auch der Einfluß der (0001) Oberfläche auf die Lage der Valenzbandoberkante wurde untersucht. Weiterhin stellen wir berechnete STM-Bilder der Oberfläche vor. Die Orte hoher Intensität lassen sich eindeutig Se Plätzen zuordnen. Wir diskutieren die Resultate für WSe₂ im Vergleich mit von uns berechneten Ergebnissen für andere Übergangsmetalldichalkogenide und zeigen dabei chemische Trends auf.

[1] M. Traving et al., Phys. Rev. B 55, 10392 (1997).

[2] Th. Finteis et al., Phys. Rev. B 55, 10400 (1997).