Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 34: Poster (II)

O 34.94: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

Wachstum niederdimensionaler Strukturen aus Seltenerdsiliziden auf Silizium — •C. Preinesberger, S. Vandre, T. Kalka und M. Dähne-Prietsch — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin

Geordnete Schichten aus Seltenerdsiliziden lassen sich durch Aufdampfen von dünnen Lagen Seltener Erden auf Si(001) und Si(111) und Tempern bei Temperaturen um 500 C herstellen. Hier werden STM-Untersuchungen präsentiert, bei denen verschiedene niederdimensionale Strukturen beobachtet werden. Im Monolagenbereich wachsen Dy-Silizide auf Si(001) in Form von Drähten mit Längen bis über 1000 Å und Breiten um 20 Å auf. Die Ausrichtung dieser Drähte hängt von der Rekonstruktion der Substratoberfläche ab, so daß an deren Stufen eine Drehung um 90 Grad beobachtet wird. Bei dickeren Schichten kommt es zur Ausbildung quaderförmiger Cluster, umgeben von einer burggrabenartigen Vertiefung im Substrat. Dy-Silizide auf Si(111) sind dagegen im wesentlichen durch ein Schichtwachstum charakterisiert. Allerdings wird auch hier im Submonolagenbereich bevorzugt eine Anlagerung an Stufenkanten beobachtet.
Gefördert von der DFG, Projekt Pr289/2-2 und Sfb 296, TP A04