Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 38: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie) (IV)

O 38.7: Vortrag

Freitag, 27. März 1998, 12:45–13:00, H37

Bandstrukturmessungen in GaN und SiC durch Resonante Inelastische Weichröntgenstreuung — •Stefan Eisebitt, Jan Lüning, Jan-Eric Rubensson, Annette Karl und Wolfgang Eberhardt — Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich

Die elektronische Struktur besetzter Zustände in Festkörpern kann mit Röntgenemissions-Spektroskopie bestimmt werden. Hierbei zerfällt ein zuvor hergestelltes Innerschalen-Loch strahlend, indem es durch ein Valenz-Elektron aufgefüllt wird. Die Analyse der emittierten Strahlung erlaubt die Bestimmung der lokalen, partiellen Zustandsdichte. Wird das Innerschalen-Loch gezielt dadurch hergestellt, daß das Rumpfelektron in bestimmte unbesetzte Zustände angeregt wird, so kann man die Bandstruktur als Funktion des Wellenvektors des Elektrons vermessen. Diese neue Technik der resonanten inelastischen Weichröntgenstreuung (RIXS) liefert atomspezifische und symmetrieselektive Bandstrukturinformation. Weiterhin ist die Methode volumenempfindlich und erfordert keine elektrische Leitfähigkeit der Probe. Wir stellen RIXS Messungen an hexagonalem GaN und an kubischem SiC vor und vergleichen die experimentellen Resultate mit Bandstrukturrechnungen.[1]

[1] J. Lüning,J.-E. Rubensson,C. Ellmers, S. Eisebitt, W. Eberhardt, Phys. Rev. B 56 No.19 (1997)