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O: Oberflächenphysik
O 4: Oxide und Isolatoren / Phasenüberg
änge
O 4.3: Talk
Monday, March 23, 1998, 11:45–12:00, H37
Phasenübergang auf α-Ga(010) — •Ph. Hofmann1, Y. Q. Cai1, Ch. Grütter2 und J. H. Bilgram2 — 1Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, 14195, Berlin-Dahlem, Germany. — 2Laboratorium für Festkörperphysik, Eidgenössische Techni-sche Hochschule, CH-8093 Zürich, Switzerland
Bei Kühlung unter 210 K ändert sich das LEED Beugungsbild der α-Ga(010) Oberfläche von einer (1x1) zu einer c(2x2) Symmetrie. Dieser Phasenübergang wird von der Öffnung einer Bandlücke in der elektronischen Struktur der Oberfläche und vom Auftreten eines neuen elektronischen Zustands am C Punkt der Oberflächen-Brillouinzone begleitet. Der Übergang scheint durch eine lokale Bindungsumlagerung verursacht zu werden und nicht durch eine Instabilität in der Fermifläche. Die Stärke der Elektronen-Phononenkopplung auf α-Ga(010) wurde durch die Temperaturabhängigkeit der Lebensdauer des Oberflächenzustandes bestimmt. Der Massenanstiegsparameter hat einen Wert von λ = 1.4 und ist damit wesentlich größer als im Volumen von α-Gallium.