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O: Oberflächenphysik

O 4: Oxide und Isolatoren / Phasenüberg
änge

O 4.7: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 12:45–13:00, H37

Erzeugung von Farbzentren in ultradünnen MgO-Schichten — •K.-M. Schröder, D. Peterka und H. Pfnür — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, D-30167 Hannover

Epitaktische MgO-Schichten von nur wenigen Atomlagen Dicke lassen sich in hoher einkristalliner Qualität auf Ag(100) herstellen. Als einzige Defekte wurden Kippmosaike mit einem von der Schichtdicke und den Präparationsbedingungen abhängigen Kippwinkel von ≤ 3^∘ nachgewiesen, die jedoch spektroskopisch nicht aktiv sind. Auf diesem Schichten wurden Farbzentren erzeugt. Die Erzeugung der F-Zemtren ist auf zwei Wegen erfolgt: Beschuß mit niederenergetischen Elektronen und Aufwachsen einer nicht-stöchiometrischen Schicht (Mg-Überschuß). Unter Elektronenbeschuß mit Elektronen bis 500 eV und Dosen bis 10¹⁷ e/cm² war eine Ausbildung von Farbzentren nicht nachzuweisen. Die unterstöchiometrischen Schichten zeigten in Elektronenverlustspektren (EELS) einen deutlichen Peak bei 2.3 eV Verlustenergie in der Bandlücke. Dieser Verlust wird einem Farbzentrum an der Oberfläche bei geringer Farbzentrenkonzentration zugewiesen [1]. Weitere Verluste bei 3.6eV und 1.2eV sind je nach Herstellungszyklus zu beobachten. Ein Peak bei 5eV, wie er aus optischen Absorptionsmessungen einem Volumenfarbzentrum zugeschrieben wird, konnte nicht detektiert werden.

[1] E.Castanier, C. Noguera, Oxygen vacancies on MgO, Surf. Sci. 364 (1996) 1.