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O: Oberflächenphysik
O 8: Epitaxie und Wachstum (I)
O 8.10: Vortrag
Montag, 23. März 1998, 18:30–18:45, H36
Grenzflächenrauhigkeit von Ge1−yCy/Si-Übergittern auf Si(001) — •P. Sonntag1, J. Falta1, T. Schmidt1, A. Hille1, K. Brunner2 und K. Eberl2 — 1HASYLAB am DESY, Notkestr. 85, 22607 Hamburg — 2Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, 70569 Stuttgart
Ein Problem bei der Epitaxie von Ge/Si-Übergittern liegt in der um ca. 4% größeren Gitterkonstanten von Ge gegenüber Si. Diese Gitterfehlanpassung führt zu einer mit steigender Schichtdicke zunehmenden Verspannung der Schichten. Ein Lösungsansatz liegt im substitutionellen Einbau eines Materials kleinerer Gitterkonstante in die Ge-Schichten. Hierfür bietet sich Kohlenstoff an. Da er eine wesentlich kleinere Gitterkonstante als Si aufweist, reicht ein geringfügiger C-Anteil (einige %) in den Ge-Schichten aus, um die mittlere Gitterkonstante der Ge1−yCy-Schicht an Si anzugleichen. Ziel ist es dabei, die strukturelle Qualität der Übergitter durch eine Reduzierung der Schichtverspannung zu verbessern. In dieser Studie haben wir Röntgenbeugung benutzt, um die strukturellen Eigenschaften von Ge1−yCy/Si-Übergittern mit denen entsprechender Ge/Si-Übergitter zu vergleichen. Messungen von Crystal-truncation-rods zeigen bei gleicher Periodizität der Übergitter eine verringerte Grenzflächenrauhigkeit der Ge1−yCy/Si-Übergitter.