Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 8: Epitaxie und Wachstum (I)

O 8.11: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 18:45–19:00, H36

Morphologie epitaktischer HgTe(001)-Schichten — •M. Schneider¹, S. Oehling², H. Neureiter¹, M. Sokolowski¹, C.R. Becker², G. Landwehr² und E. Umbach¹ — ¹Experimentelle Physik II — ²Experimentelle Physik III, Universität Würzburg, D-97074 Würzburg

Dem Material HgTe kommt aufgrund seiner extrem kleinen Bandlücke eine besondere Bedeutung in der industriellen Anwendung als Infrarotdetektor zu. Dieses System ist aber auch von allgemeinem Interesse, da es besonders gut zur detaillierten Untersuchung der Oberflächenmorphologie epitaktischer Halbleiter geeignet ist und damit einen Beitrag zum Verständnis des epitaktischen Wachstums liefern kann.
Wir berichten über SPALEED- und STM-Messungen an epitaktischen HgTe(001)-Schichten, die auf epitaktischen CdTe(001)-Schichten gewachsen wurden. Beide Meßmethoden ergänzen sich in idealer Weise und erlauben konkrete Aussagen über die Morphologie der Wachstumsoberfläche. Die Ergebnisse der Messungen zeigen zum Beispiel, daß die Stufen auf der Oberfläche bestimmte Vorzugsrichtungen haben und rautenförmige Inseln bilden, deren Kerne häufig durch Schraubenversetzungen gebildet werden. Die Analyse der LEED-Reflexprofile ergab eine bimodale Terrassenbreitenverteilung mit der Ausbildung eines bevorzugten Stufenabstands, was auf Stufenflußwachstum hindeutet.
Gefördert durch SFB 410.