Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 8: Epitaxie und Wachstum (I)
O 8.12: Vortrag
Montag, 23. März 1998, 19:00–19:15, H36
Van der Waals-Epitaxie dünner Indiumselenidschichten -
Nukleation, Wachstum und elektronische Eigenschaften — •E. Schaar-Gabriel1, O. Lang1, C. Pettenkofer1 und W. Jaegermann2 — 1Hahn-Meitner-Institut, Abt. CG, Glienickerstr. 100, 14109 Berlin — 2Technische Universitaet Darmstadt, Fachgebiet Oberflächenforschung, Fachbereich Materialwissenschaften, Petersenstr. 23, 64287 Darmstadt
Epitaktische InSe-Schichten wurden auf unterschiedlichen Schichtgittersubstraten unter Variation der Wachstumsparameter (Quellen, Temperatur, Flüsse) aufgewachsen (Van der Waals-Epitaxie) und mit Photoelektronenspektroskopie, Elektronenbeugung und Rastersondenmethoden (AFM, STM und Tunnelspektroskopie) untersucht.
Initielle Nukleationschritte wurden unter UHV-Bedingungen mittels STM-Messungen charakterisiert. Sie sind bestimmt durch die Zusammensetzung der Gasphase und die dadurch beeinflusste Reaktionskinetik auf der Oberfläche.Daraus resultieren unterschiedliche Wachstumsdefekte durch Fremdphasen des Indium-Selen-Systems, sowie In-Ausscheidungen auf dicken InSe-Schichten. Die Schichten lassen sich, im Gegensatz zu einkristallinen Proben, mit definierten STM-Spannungspulsen strukturieren.