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Regensburg 1998 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 8: Epitaxie und Wachstum (I)

O 8.2: Talk

Monday, March 23, 1998, 16:30–16:45, H36

Atomare Struktur von Grenzschicht und Oberfläche ultradünner CoSi2-Filme auf Si(111) — •A. Seubert, J. Schardt, W. Weiss, U. Starke und K. Heinz — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen- Nürnberg, Staudtstr. 7, 91058 Erlangen

Durch simultanes Abscheiden von Kobalt und Silizium und anschließende thermische Aktivierung wurden CoSi2-Filme von etwa 6 Å Dicke auf Si(111) aufgedampft. Je nach Wahl der Präparationsparameter lassen sich zwei stöchiometrisch verschiedene Oberflächenphasen herstellen, welche als kobalt- bzw. siliziumreiche Terminierung bezeichnet werden. Ziel unserer Untersuchungen war die Bestimmung von Oberflächenstruktur, Schichtdicke und Orientierung des CoSi2-Films bezüglich des Silizium- Substrats sowie die Ermittlung der Koordinationszahl der Kobaltatome an der Grenzschicht. Eine detaillierte Strukturanalyse mittels Beugung langsamer Elektronen zeigte, daß beide Phasen auf der CaF2-Struktur basieren, wobei sich die siliziumreiche Terminierung durch eine zusätzliche Silizium- Bilage von der kobaltreichen Phase unterscheidet, welche ihrerseits von einer vollständigen CoSi2-Trilage terminiert ist. Die CoSi2-Filme bevorzugen eine als B-Typ bezeichnete Wachstumsrichtung, d.h. die Atomlagen des Silizid-Films sind gegenüber jenen des Si-Substrats um 60 verdreht. Darüberhinaus konnte gezeigt werden, daß die kobaltreiche Phase Domänen verschiedener Schichtdicke ausbildet und die Kobaltatome an der Grenzfläche achtfach koordiniert sind.
Gefördert durch die DFG (SFB 292)

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