Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 8: Epitaxie und Wachstum (I)
O 8.3: Vortrag
Montag, 23. März 1998, 16:45–17:00, H36
Zeitaufgelöste Hochtemperatur STM-Untersuchung der Bildung und Phasenumwandlung von Eisensilizid auf Si(111) — •V. Dorna, P. Kohstall und U. Köhler — Institut für Experimentalphysik, AG Oberflächen, Ruhr-Universität Bochum, 44780 Bochum
Durch MBE und CVD (Precursor Fe(CO)5) wurde bei Temperaturen bis 700∘C Eisen auf Si(111)7x7 abgeschieden, um die Kinetik der Silizidbildung zu untersuchen. Im Submonolagen-Bereich entstehen abhängig von den Prozeßbedingungen gleichzeitig α- und γ-Silizid. Da deren Stöchiometrie geringfügig differiert, läst sich durch Überangebot von Eisen oder Silizium – angeboten als Disilan (Si2H6) – eine reversible Phasenumwandlung zwischen beiden Inseltypen erzwingen. Dieses konnte mit dem STM bei 500∘C zeitaufgelöst beobachtet werden.
Als zweiter Teilaspekt ist die Koevaporation von Eisen und Silizium untersucht worden, die für den Übergang auch zu höheren Schichtdicken mit homogener Zusammensetzung nötig ist. Variation des Si-Angebots bei konstantem Eisenfluß zeigte, daß bei einem Wert von etwa drei für das Verhältnis von Disilan zu Fe(CO)5 keine Spezies im Überschuß abgeschieden wird. Dieses stimmt sehr gut mit den getrennt ermittelten Haftkoeffizienten überein.