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Regensburg 1998 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 8: Epitaxie und Wachstum (I)

O 8.5: Talk

Monday, March 23, 1998, 17:15–17:30, H36

Modifizierung von CaF2-Schichten auf Si(111) durch elektronenstimulierte Fluor-Desorption — •J. Falta1, T. Schmidt1, A. Hille1, A. Klust2, J. Viernow2 und J. Wollschläger21HASYLAB am DESY, Notkestr. 85, 22607 Hamburg — 2Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, 30167 Hannover

Epitaktische ultradünne CaF2-Schichten auf Si(111) sind aufgrund der geringen Gitterfehlanpassung von besonderen Interesse für die Herstellung epitaktischer, atomar dünner Isolatorschichten für Si-Hybridstrukturen in Halbleiterbauelementen. Ein wesentliches Hindernis für das Wachstum geschlossener, epitaktischer Filme auf diesen CaF2-Schichten liegt darin, daß deren Oberfläche keine ungesättigten Bindungen aufweist. Diese können jedoch durch elektronenstimulierte Desorption der obersten Fluorschicht erzeugt werden. Die Struktur von CaF2-Monolagen wurde durch die Kombination von stehenden Röntgenwellenfeldern
(XSW) mit Photoelektronen- und Fluoreszensspektroskopie untersucht. Im Gegensatz zu Schichten, die bei höheren Temperaturen aufgedampft wurden, bilden bei 500oC hergestellte CaF2-Schichten eine Si-F Bindung zum Substrat. Nach Beschuß dieser Schichten mit niederenergetischen Elektronen konnten wir die Desorption der Fluoratome aus der obersten F-Lage nachweisen und die Struktur der unbehandelten und modifizierten CaF2-Schichten quantitativ bestimmen.

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