Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 8: Epitaxie und Wachstum (I)
O 8.7: Vortrag
Montag, 23. März 1998, 17:45–18:00, H36
Untersuchungen zur aktiven und passiven Oxidation von Si(111) im Rastertunnelmikroskop — •Stefan Hildebrandt, Ralf Kulla, and Henning Neddermeyer — Martin-Luther-Universit"at Halle-Wittenberg, Fachbereich Physik, 06099 Halle
Die Wechselwirkung der Si(111)7×7-Oberfl"ache mit Sauerstoff wurde im Rastertunnelmikroskop in situ w"ahrend O2-Exposition bis 200 L bei Dr"ucken von 10−6 bis 10−5 Pa und Temperaturen zwischen 500 und 600 ∘C untersucht. Im "Ubergangsbereich zwischen aktiver (Si-"Atzen und SiO-Desorption) und passiver Oxidation (SiO2-Wachstum) wird die anf"anglich homogene Adsorption vom rapiden "Atzabtrag "uberlagert. Infolge des R"uckzugs der Terrassen bilden sich bevorzugt auf den freigelegten Fl"achen, an Stufenkanten und Dom"anengrenzen gr"o"sere Oxidcluster, die lateral weiter wachsen und die Stufenkanten lokal ”pinnen”. Dies hemmt zunehmend den "Atzproze"s und hat eine rauhe Oberfl"achenmorphologie zur Folge. Im Unterschied zu Feltz et al., Surf. Sci. 314 (1994) 34, verl"auft der step flow-Mechanismus auch im "Ubergangsbereich "uber mehrere Lagen unter Erhalt der 7×7-Struktur. Aus der temperaturabh"angigen "Atzrate wird eine Aktivierungsenergie von (1.6 ± 0.2) eV ermittelt, die mit der Abl"oseenergie der Adatome von den Stufenkanten korreliert.