Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 9: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie)(I)

O 9.10: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 18:30–18:45, H37

Ab-initio Berechnungen von elektronischen Korrelationen zur Rekonstruktion und Wasserstoffbedeckung der Si(100) Oberfl"ache — •Beate Paulus — Max-Planck-Institut f"ur Physik komplexer Systeme, N"othnitzer Str. 38, D-01187 Dresden

Wir f"uhren mit Hilfe von eingebetteten Festk"orperfragmenten eine voll korrelierte ab-initio Rechnung f"ur die Si(100) Oberfl"ache durch. Sowohl f"ur die ideale wie auch f"ur die rekonstruierte Oberfl"ache finden wir einen Singulett-Grundzustand, der aber aus mehreren Determinanten besteht und so nur in einer Vielteilchenbeschreibung zu erreichen ist. Der Energiegewinn beim Bilden eines symmetrischen Dimers in der Struktur p(1×2) betr"agt 1.75 eV und die Bindungsl"ange des Dimers 2.35 Å. Im Gegensatz zu LDA-Rechnungen finden wir keine asymmetrisch verkippte p(1×2) Struktur. Mit derselben Methode wird f"ur verschiedene Bedeckungsgrade die Bindungsenergie von Wasserstoff auf Si(100) berechnet, welche von der Monohybrid- zur Dihybridphase deutlich abnimmt.