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O: Oberflächenphysik

O 9: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie)(I)

O 9.11: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 18:45–19:00, H37

Ab initio-Berechnung der Struktur und Oberfl"achenphononen von Si(100):Sb(2 × 1) und Si(100):H(1 × 1) — •M. Arnold, R. Honke, P. Pavone, and U. Schr"oder — Institut f"ur Theoretische Physik, Universit"at Regensburg, Universit"atsstra"se 31, D-93040 Regensburg

Die strukturellen und dynamischen Eigenschaften der mit Antimon bedeckten Si(100)-(2 × 1)-Oberfl"ache und der mit Wasserstoff bedeckten Si(100)-(1 × 1)-Oberfl"ache wurden im Rahmen eines auf der Dichtefunktionaltheorie beruhenden Formalismus untersucht. Zur Bestimmung des Grundzustandes von Si(100):Sb-(2 × 1) sowie von Si(100):H-(1 × 1) wurde die Gesamtenergie unter Ausnutzung des Hellmann-Feynman-Theorems minimiert. F"ur beide Systeme wurde die Oberfl"achenstruktur und die volle Dispersion der Oberfl"achenphononen entlang von Hochsymmetrierichtungen ermittelt. Die Oberfl"achenmoden werden im Hinblick auf strukturelle Eigenschaften diskutiert.