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O: Oberflächenphysik

O 9: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie)(I)

O 9.1: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 16:15–16:30, H37

Bandstruktureffekte in BEEM: Atomare Aufl"osung und Oberfl"acheneffekte bei CoSi₂/Si — •K. Reuter¹, K. Heinz¹, P.L. de Andres², F.J. Garcia-Vidal³, and F. Flores³ — ¹Lehrstuhl f"ur Festk"orperphysik, Universit"at Erlangen-N"urnberg, Staudtstr. 7, D-91058 Erlangen — ²Inst. de Ciencia de Materiales (CSIC), E-28049 Madrid — ³Dpt. de Fisica Teorica de la Materia Condensada (UAM), E-28049 Madrid

Mittels eines auf einem LCAO-Hamiltonian beruhenden Keldysh–
Greensfunktionen Formalismus wird die elastische Propagation der Elektronen in einem BEEM-Experiment unter Ber"ucksichtigung der metallischen Bandstruktur simuliert. In der Anwendung auf d"unne CoSi₂-Filme erkl"art ein fast atomar fokussierter Strahl die hohe Aufl"osung von Interface-Defekten im Experiment. Die Berechnung der Stromverteilungen im reziproken Raum erlaubt die Untersuchung der beobachteten Oberfl"acheneffekte, bei der ein Abbild der (2 × 1) Rekonstruktion der CoSi₂(111) Oberfl"ache im Interface BEEM-Bild erscheint [H. Sirringhaus, E.Y. Lee, H. von Känel, Phys. Rev. Lett. 74, 3999 (1995)].
(gef"ordet durch die DFG im SFB 292)