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O: Oberflächenphysik

O 9: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie)(I)

O 9.2: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 16:30–16:45, H37

Berechnung von Surface Core Level Shifts an As/Si(001) Oberflächen — •F. Sökeland¹, H. Zacharias¹, P. Kratzer² und M. Scheffler² — ¹WWU-Münster, Physikalisches Institut, Wilhelm-Klemm-Str. 10, 48149 Essen — ²Fritz Haber Institut der MPG, Abt. Theorie, Farradayweg 4-6, 14195 Berlin

Experimentelle und theoretische Bestimmungen von Surface Core Level Shifts (SCLS) waren in den vergangenen Jahren Gegenstand intensiver Untersuchungen. Die Berechnung solcher SCLS erfordert prinzipiell die Einbeziehung von Endzustandseffekten, da die kinetische Energie von Photoelektronen durch Wechselwirkungsprozesse mit dem zurückbleibenden Restsystem modifiziert wird. Dies führt zu einer aus der Vielteilchenphysik abgeleiteten Beschreibung des Endzustandes und der Einbeziehung der sog. Selbstenergie des Quasiteilchenzustandes. Alternativ können solche Endzustandseffekte auch durch die Konstruktion spezieller Pseudopotentiale simuliert werden. Unser Vortrag gliedert sich in zwei Bereiche: Zunächst werden die Ergebnisse einer Strukturoptimierung der As/Si(001)-(2x1) Oberfläche präsentiert. Zur Optimierung wird die Wellenfunktion in einer Basis aus ebenen Wellen entwickelt und die interatomaren Kräfte im Anschluß minimiert. Im zweiten Teil werden die auf der Grundlage abgeschirmter Pseudopotentiale berechneten SCLS dargestellt und diskutiert. Ein Vergleich mit früheren experimentellen und theoretischen Ergebnissen wird gegeben.