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O: Oberflächenphysik

O 9: Elektronische Struktur (Experiment und Theorie)(I)

O 9.4: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 17:00–17:15, H37

Ultrasofte Pseudopotentiale für Ga3d- und In4d-Elektronen: Anwendung auf III-Nitrid-Oberflächen — •U. Großner, J. Furthmüller und F. Bechstedt — Institut für Festkörpertheorie und Theoretische Optik, FSU Jena, Max-Wien-Platz 1, D-07743 Jena

Die Behandlung von d-Elektronen erfordert normalerweise hohe Cut-off-Energien für die Ebene-Wellen-Basis. Mit Hilfe der von uns verwendeten nicht-normerhaltenden ultrasoften Vanderbilt-Pseudopotentiale konnten die Cut-offs auf Werte von 195 eV (14.4 Ry) für AlN, 220 eV (16.2 Ry) für GaN und 210 eV (15.5 Ry) für InN reduziert werden. Die vorgestellten Untersuchungen basieren auf ab-initio-Rechnungen mit VASP (Vienna-ab-initio-Simulation Package). Wir präsentieren Ergebnisse zur geometrischen und elektronischen Struktur der (110)-Oberflächen sowie Volumeneigenschaften für die jeweiligen 3C- und 2H-Polytypen.

[1] G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 47, RC558 (1993).

[2] G. Kresse and J. Furthmüller, Comput. Mat. Sci. 6, 15 (1996); Phys. Rev. B 54, 11169 (1996).