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SYB: Symposium Elastische und plastische Eingenschaften dünner Filme

SYB 1: Elastische und plastische Eingenschaften dünner Filme

SYB 1.7: Hauptvortrag

Mittwoch, 25. März 1998, 17:30–18:00, H 32

Intrinsische Spannungen und Misfit-Relaxation von Ge/Si(001) und Si(111) — •Reinhold Koch — Institut für Experimentalphysik, Freie Universität Berlin

Ge/Si(001) und Ge/Si(111) sind bekannte Stranski-Krastanov-Systeme, bei denen regelmäßsige 3D-Inseln auf einer nur wenige Atomlagen dicken Ge-Benetzungsschicht wachsen. Wegen ihrer einheitlichen Größsenverteilung gelten diese ’Quantenpunkt-Strukturen’ als aussichtreiche Kandidaten zur Herstellung von Halbleiterlasern auf Si-Basis. In diesem Vortrag werden schichtdickenabhängige Untersuchungen derintrinsischen Spannungen vorgestellt, die auf die Gitterfehlanpassung zwischen Ge und Si zurückzuführen sind, und mit AFM-Ergebnissen zur Mikrostruktur korreliert. Die Messungen liefern quantitative Information zur Relaxation des Misfits und damit zur Reduktion der elastischen Energie in den verschiedenen Wachstumsstadien. Untersuchungen bei verschiedenen Depositionstemperaturen erlauben interessante Rückschlüsse auf die Triebkraft zum Übergang von 2D- zu 3D- Wachstum.