Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

SYC: Symposium Raster-Sonden-Mikroskopie und -Spektroskopie bei tiefen Temperaturen

SYC 2: Kurzvorträge I

SYC 2.1: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 11:45–12:00, H18

RTM-Untersuchungen von Friedel-Oszillationen an Defekten an der GaAs(110)-Spaltfl"ache bei Temperaturen von 8K bis 300K — •M. Wenderoth, M. A. Rosentreter, T. C. G. Reusch, and R. G. Ulbrich — IV. Physikalisches Institut, Universit"at G"ottingen, Bunsenstr.13, D-37073 G"ottingen

Wir stellen ein UHV-Tieftemperatur-Rastertunnelmikroskop mit variablem Temperaturbereich von 300K bis 8K, optischem Zugang zur Probe, in situ Proben- und Spitzenwechesel sowie der M"oglichkeit zur lateralen Positionierung der Probe vor. Experimente zur Abschirmung von Defekten an der GaAs(110)-Spaltfl"ache wurden im Topographie-Modus und mit Strom-Spannungs-Kennlinien des Tunnelkontaktes bei 8K, 77K und 300K durchgef"uhrt. Untersuchungen an Si-dotiertem GaAs bei 8K mit atomarer Aufl"osung zeigen Oszillationen der Ladungstr"agerdichte der gef"ullten Zust"ande im Ortsraum in der Umgebung von Dotieratomen[1]. In der Umgebung von Adsorbaten finden wir eine andere Wellenl"ange der Modulation der lokalen Zustandsdichte. Wir beschreiben die beobachteten Oszillationen als koh"arente Abschirmung (Friedel-Oszillationen) im Elektronengas unter dem Einflu"s der Spitze und diskutieren die Abh"angigkeit der Modulationstiefe von der Temperatur. Diese Arbeit wurde von der DFG im Rahmen des SFB 345 gef"ordert.

[1] M.C.M.M. van der Wielen et al., Phys. Rev. Lett. 76, 1075 (1996)