Regensburg 1998 – scientific programme

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SYC: Symposium Raster-Sonden-Mikroskopie und -Spektroskopie bei tiefen Temperaturen

SYC 3: Halbleiter und Hochtemperatursupraleiter

SYC 3.2: Invited Talk

Tuesday, March 24, 1998, 14:30–15:00, H18

Tieftemperatur-Rastertunnelspektroskopie an InAs(110): Landauniveaus und Streuung von Elektronenwellen an Dotieratomen — •M. Morgenstern, Chr. Wittneven, R. Dombrowski und R. Wiesendanger — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, D-20355 Hamburg

Ratertunnelspektroskopie bei tiefen Temperaturen erlaubt es die elektronische Struktur von Festkörperoberflächen mit hoher spektroskopischer und räumlicher Auflösung zu untersuchen. Eine Reihe faszinierender Ergebnisse auf Metalloberflächen wurde in den vergangenen Jahren präsentiert. In den hier vorgestellten Experimenten wird die Halbleiteroberfläche InAs(110) untersucht.
Es wird die Landauniveau-Aufspaltung der Volumen-Leitungsbandzustände in Magnetfeldern bis zu 6.5 T bei 8 K spektroskopiert. Die Abhängigkeit der effektiven Masse von der Elektronenenergie (Nichtparabolizität des Leitungsbandes) wird gezeigt. Wahrscheinlich dotieratombedingte Potentialunterschiede auf der Oberfläche resultieren in einer ortsabhängigen Verschiebung der Landauniveaus, die zu einem deutlichen Kontrast in dI/dV-Bildern führt. Dadurch können Potentialunterschiede von wenigen meV sichtbar gemacht werden. Die dI/dV-Bilder zeigen darüberhinaus, sowohl mit wie ohne Magnetfeld, ca. 50 nm große kreisförmige Korrugationen, die anhand eines einfachen Modells auf die Streuung von Elektronenwellen an Dotieratomen zurückgeführt werden.
Erste Messungen am System Fe/InAs(110) werden präsentiert.