Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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SYF: Symposium Fest-Flüssig-Grenzflächen

SYF 2: Fest/Flüssig - Grenzflächen

SYF 2.15: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

Oberflächen-Modulation des Tunnelstromes in Metal- Isolator-Metall-Kontakten — •Detlef Diesing, Guido Kritzler und Andreas Otto — Lehrstuhl für Oberflächenwissenschaft (IPkM), Heinrich-Heine-Universität Düsseldorf, Universitätsstraße 1, 40225 Düsseldorf

Üblicherweise nimmt man an, daß der Tunnelstrom i_T zwischen den beiden metallischen Schichten eines MIM-Kontaktes nur durch die Dicke, die Festkörpereigenschaften des isolierenden Films, die elektronischen Zustandsdichten in den Metallen und die angelegte Spannung bestimmt wird. Der Tunnelstrom i_T von Al/AlOx/Ag - Kontakten mit etwa 20 nm dicken Silberdeckelektroden wird dagegen durch Vorgänge an der äußeren Oberfläche stark moduliert. Wird nach bekannter elektrochemischer Technik die Oberfläche negativ aufgeladen, so kann i_T um einen Faktor 5 erhöht werden. Eine Veränderung der Tunnelstrecke kann dabei ausgeschlossen werden. Wenn man auf die MIM-Kontakte im UHV Kalium aufbringt, bzw. Sauerstoff adsorbiert, so erhöht bzw. verringert sich i_T.

Der Effekt kann nicht mit variabler Reflexion ballistischer Elektronen an der äußeren Grenzfläche verstanden werden. Wir schlagen ein Modell der Kohärenzbrechung des elektronischen Tunnelzustandes an der äußeren Grenzfläche vor.

Wir prüfen zur Zeit, ob MIM-Kontakte damit als chemische Sensoren geeignet sind.