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TT: Tiefe Temperaturen

TT 1: Ladungseffekte in Einzelelektronensystemen

TT 1.2: Hauptvortrag

Montag, 23. März 1998, 10:00–10:30, H 19

Quantenfluktuationen im Einzel-Elektron Transistor — •H. Schoeller, J. König und G. Schön — Inst. für theor. Festkörperphysik, Univ. Karlsruhe, Engesserstr. 7, 76128 Karlsruhe

Elektronischer Transport durch kleine metallische Inseln im Nanometerbereich wird stark durch die hohe Ladungsenergie beeinflusst, die zu Coulomb-Oszillationen des Leitwertes als Funktion der externen Gate-Spannung führt. Falls der Widerstand einer einzelnen Tunnelbarriere den Quantenwiderstand h/e² erreicht, werden bei genügend tiefen Temperaturen Quantenfluktuationen wichtig. Diese werden in diesem Vortrag mit Hilfe von formal exakten kinetischen Gleichungen auf verschiedenen Approximationsstufen diskutiert [1-3], und die Resultate mit dem Experiment [4] verglichen. Im Tieftemperaturbereich ergibt sich das Skalierungsverhalten eines Multi-Kanal Kondo-Modells. Die renormierte Ladungsenergie wird mit Hilfe von Real-Zeit Renormierungsgruppen-Methoden berechnet und mit exakten Monte-Carlo Simulationen verglichen.

[1] H. Schoeller und G. Schön, Phys. Rev. B50, 18436 (1994)

[2] J. König, H. Schoeller, und G. Schön, Europhys. Lett. 31, 31 (1995)

[3] J. König, H. Schoeller, und G. Schön, Phys. Rev. Lett. 78, 4482 (1997)

[4] P. Joyez et al., Phys. Rev. Lett. 79, 1349 (1997)