Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 1: Ladungseffekte in Einzelelektronensystemen

TT 1.8: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 12:45–13:00, H 19

Herstellung und Charakterisierung von Einzelladungstunnelelementen aus Niob — •Torsten Henning¹, D. B. Haviland², and P. Delsing¹ — ¹Institutionen för Mikroelektronik och Nanovetenskap, Göteborgs Universitet och Chalmers Tekniska Högskola AB, S-412 96 Göteborg, Schweden — ²Department of Physics, The Royal Institute of Technology, S-100 44 Stockholm, Schweden

Supraleitende Einzelelektronentransistoren (S-SET), bei denen Source/Drain oder die Insel aus Niob bestehen, wurden mit konventioneller Schrägbedampfungstechnik nach Niemeyer-Dolan hergestellt und durch Magnetotransportmessungen bei tiefen und sehr tiefen Temperaturen charakterisiert. Die elektronenstrahllithografische Herstellung der Tunnelübergänge mit Abmessungen von weniger als 100× 100 nm² erfordert ein Maskensystem, das bei hohen Temperaturen stabil bleibt. Daneben erscheint das Ausgasungsverhalten von entscheidender Bedeutung für die erzielbaren supraleitenden Übergangstemperaturen des Niobs zu sein. Wir diskutieren die Eignung der so hergestellten S-SET im Hinblick auf die Hochempfindlichkeitselektrometrie und präsentieren einen Ansatz zur Einbettung von mesoskopischen Josephsonübergängen aus Niob in eine hochimpedante elektromagnetische Umgebung mit Hilfe nanofabrizierter integrierter Widerstände.